一、功率的正向导通等效电路
1）等效电路：
2）说明：
功率正向导通时可用一阻值等效，该阻值与湿度有关，气温下降，该内阻变大；它还与门极驱动电流的大小有关，驱动电流下降，该内阻变小。详尽的关系曲线可从制造商的指南中获得。
二、功率的反向导通等效电路（1）
1）等效电路（门极不加控制）：
2）说明：
即内部晶闸管的等效电路，可用一电压降等效，此晶闸管为的体晶闸管，多数情况下，因其特点很差，要防止使用。
三、功率的反向导通等效电路（2）
1）等效电路（门极加控制）：
2）说明：
功率在门级控制下的反向导通，也可用一阻值等效，该内阻与气温有关，气温下降，该内阻变大；它还与门极驱动电流的大小有关，驱动电流下降，该内阻变小。详尽的关系曲线可从制造商的指南中获得。此工作状态称为的同步检波工作，是低压大电压输出开关电源中特别重要的一种工作状态。
四、功率的正向截至等效电路
1）等效电路：
2）说明：
功率正向截至时可用一电容等效，其容量与所加的正向电流、环境湿度等有关，大小可从制造商的指南中获得。
五、功率的稳态特点总结
1）功率稳态时的电压/电流曲线：
2）说明：
功率正向饱和导通时的稳态工作点：
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同晶闸管。
3）稳态特点总结：
门极与源极间的电流Vgs控制元件的导通状态；当时，元件处于导通状态；元件的通态内阻与Vgs有关，Vgs大，通态内阻小；多数元件的Vgs为12V-15V，额定值为+-30V；
元件的漏极电压额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电压有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则元件就是安全的；
元件的通态内阻呈正气温系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；
目前的Logic-Level的功率，其Vgs只要5V，便可保证漏源通态内阻很小；
元件的同步检波工作状态已显得愈来愈广泛，缘由是它的通态内阻十分小（目前最小的为2-4毫欧），在低压大电压输出的DC/DC中已是最关键的元件。
六、包含寄生参数的功率等效电路
1）等效电路：
2）说明：
实际的功率可用三个结电容，三个沟道阻值，和一个内部晶闸管及一个理想来等效。三个结电容均与结电流的大小有关，而门极的沟道内阻通常很小，漏极和源极的两个沟道内阻之和即为饱和时的通态阻值。
七、功率的开通和关断过程原理
1）开通和关断过程实验电路：
2）的电流和电压波形：
3）开关过程原理：
开通过程[t0~t4]：
在t0前，工作于截至状态，t0时，被驱动开通；
[t0-t1]区间，的GS电流经Vgg对Cgs充电而上升，在t1时刻，抵达维持电流Vth，开始导电；
[t1-t2]区间，的DS电压降低，电容在该区间外因DS电容的放电而放电，对GS电容的充电影响不大；
[t2-t3]区间，至t2时刻，的DS电压降至与Vgs相同的电流，电容大大降低，外部驱动电流对电容进行充电，GS电容的电流不变，电容上电流降低，而DS电容上的电流继续减弱；
[t3-t4]区间，至t3时刻，的DS电压降至饱和导通时的电流，电容变小并和GS电容一起由外部驱动电流充电，GS电容的电流上升，至t4时刻为止。此时GS电容电流已达稳态，DS电流也达最小，即稳定的通态压降。
关断过程[t5~t9]：
在t5前，工作于导通状态，t5时，被驱动关断；
[t5-t6]区间，的Cgs电流经驱动电路内阻放电而增长，在t6时刻，的通态内阻微微上升，DS电流梢稍降低，但DS电压不变；
[t6-t7]区间，在t6时刻，的电容又显得很大，故GS电容的电流不变，放电电压流过电容，使DS电流继续降低；
[t7-t8]区间，至t7时刻，的DS电流升至与Vgs相同的电流，电容迅速减弱，GS电容开始继续放电，此时DS电容上的电流迅速上升，DS电压则迅速增长；
[t8-t9]区间，至t8时刻，GS电容已放电至Vth，完全关断；该区间内GS电容继续放电直到零。
八、因晶闸管反向恢复造成的开关波形
1）实验电路：
2）因晶闸管反向恢复造成的开关波形：
九、功率的功率耗损公式
1）导通耗损：
该公式对控制检波和同步检波均适用，
该公式在体三极管导通时适用。
2）容性开通和感性关断耗损：
为元件与三极管回路中的所有分布电感只和。通常也可将这个耗损看成元件的感性关断耗损。
3）开关耗损：
开通耗损：
考虑晶闸管反向恢复后：
关断耗损：
驱动耗损：
十、功率的选择原则与步骤
1）选择原则：
a.按照电源尺寸，合理选择元件（见下表）：
b.选择时，如工作电压较大6s电流过大重启，则在相同的元件额定参数下，应尽可能选择正向导通内阻小的；应尽可能选择结电容小的。
2）选择步骤：
a.按照电源尺寸，估算所选变换器中的稳态参数：
正向阻断电流最大值，最大的正向电压有效值；
b.从元件商的中选择合适的，可多选一些便于实验时比较；
c.从所选的的其它参数，如正向通态内阻，结电容等等，计算其工作时的最大耗损，与其它元元件的耗损一起，计算变换器的效率；
d.由实验选择最终的元件。
十一、理想开关的基本要求
1）符号：
2）要求：
a.稳态要求：
合上K后
①开关两端的电流为零；
②开关中的电压有外部电路决定；
③开关电压的方向可正可负；
④开关电压的容量无限。
断掉K后
①开关两端承受的电流可正可负；
②开关中的电压为零；
③开关两端的电流有外部电路决定；
④开关两端承受的电流容量无限。
b.动态要求：
K的开通
①控制开通的讯号功率为零；
②开通过程的时间为零。
K的关断
①控制关断的讯号功率为零；
②关断过程的时间为零。
3）波形：
其中：H：控制高电平；L：控制低电平
a.Ion可正可负，其值有外部电路定；
b.Voff可正可负，其值有外部电路定。
十二、用电子开关实现理想开关的限制
1）电子开关的电流和电压方向有限制：
2）电子开关的稳态开关特点有限制：
a.导通时有电压降；（正向压降，通态内阻等）
b.截至时有漏电压；
c.最大的通态电压有限制；
d.最大的阻断电流有限制；
e.控制讯号有功率要求6s电流过大重启，等等。
3）电子开关的动态开关特点有限制：
a.开通有一个过程，其长短与控制讯号及元件内部结构有关；
b.关断有一个过程，其长短与控制讯号及元件内部结构有关；
c.最高开关频度有限制。
目前作为开关的电子元件十分多。在开关电源中，用得最多的是三极管、、IGBT等，以及它们的组合。
十三、电子开关的四种结构
1）单象限开关
2）电压单向（双象限）开关
3）电流单向（双象限）开关
4）四单象限开关
十四、开关元件的分类
1）按制做材料分类：
a.（Si）功率元件；
b.（Ga）功率元件；
c.（GaAs）功率元件；
d.（SiC）功率元件；
e.（GaN）功率元件---下一代
f.（）功率元件---再下一代
2）按是否可控分类：
a.完全不控元件：如晶闸管元件；
b.可控制开通，但不能控制关断：如普通可控硅元件；
c.全控开关元件；
d.电流型控制元件：如，IGBT，IGT/，SIT等；
e.电压型控制期间：如GTR，GTO等。
3）按工作频度分类：
a.低频功率元件：如可控硅，普通晶闸管等；
b.中频功率元件：如GTR，IGBT，IGT/；
c.高频功率元件：如，快恢复晶闸管，萧特基晶闸管，SIT等。
4）按额定可实现的最大容量分类：
a.小功率元件：如；
b.中功率元件：如IGBT；
c.大功率元件：如GTO。
5）按导电扩频的粒子分类：
a.多子元件：如，萧特基，SIT,JFET等；
b.少子元件：如IGBT，GTR，GTO，快恢复等。
十五、不同开关元件的比较
1）几种可关断元件的功率处理能力比较：
2）几种可关断元件的工作特点比较：
里面的数据会随元件的发展而不断变化，仅供参考。
本文整合自网路