#天南地清华拜年#?
储存芯片，是嵌入式系统芯片的概念在储存行业的具体应用。ASIC实现了专用集成电路大批量、标准化的应用。而FPGA在ASIC基础上实现了现场可编程门阵列，此措施除了提升性能，并且增加了成本，缩了短研制工期。其实，计算机的固有特点可让它做加速器，或减轻各类优化技术的大量运算对CPU导致的过量负载所造成的系统整体性能的增长。因而决定系统速率的不止系统芯片，还有储存芯片。
随着对储存芯片的挖掘不断深入，储存芯片的能力也被挖掘殆尽。因而急切须要一种新的材料来提高性能。这不，由广州民航航天学院材料大学磁性功能材料研究团队、华中科技学院化学大学、中国科大学上海纳米技术与纳米仿生研究所加工平台合作完成了原子级平整反铁磁金属单晶硅薄膜的关键制备技术，使超快速响应超高密度反铁磁随机存取储存器的研发成为可能，有望急剧提高手机、计算机等信息产品运行速率。
原子级平整反铁磁金属单晶硅薄膜是一种多层堆叠、密排列的全反铁磁随机存取储存器示意图
原子级平整反铁磁金属单晶硅薄膜是一种多层堆叠、密排列的全反铁磁随机存取储存器。这些新型反铁磁储存元件实现了垂直电子输运，对比原有面内电子输运的反铁磁储存元件，它的常温高低阻态差值提高了近3个数目级，因而有望使信息储存速率和密度急剧提高。
从里面的描述中可以看出，原子级平整反铁磁金属单晶硅薄膜是一种“原子级”的储存器，并且是“堆叠、密排列”，这个储存量已赶超了硅基储存器的ASIC，更关键的一点是，它能实现电子的垂直运输，并且可以做到随机储存。这个就更厉害了，这是天然的FPGA，这意味着储存编程方面愈发简单。至于在“常温高低阻态差值提高了近3个数目级”，这个意思就是储存能力比硅基芯片的能力提高100倍。这些磁性功能材料是大规模数据储存机械硬碟的核心材料，相较于传统硅基储存器，磁储存元件依赖的是非易失量子载流子属性，存储能力愈加稳定。
无独有偶的是，德国能源部阿贡国家实验室的科学家们也正在努力用微小的磁涡（被称为）代替条形吸铁石。日本科学家形容这种材材时称：小至十亿分之一米的漩涡在个别磁性材料中产生，并有可能带来新一代的微电子技术，用于高性能计算机的显存储存。并称恐怕的能源效率可能比目前用于研究的高性能计算机的储存器好100到1000倍。并且的研究阶段目前是在“零下270度时，该层达到了几乎完全无序的状态，但当体温回到零下60度时量子通讯储存，秩序又回去了”。这显示目前还未找到常温下的方式。
日本能源部阿贡国家实验室的的反磁材料在各类气温下疗效
从里面中俄的新型储存材料的对比中量子通讯储存，这二者用的都是反铁磁储存元件，只是在翻译时侯有所不同。都是通过界面挠度诱导非共线反铁磁单晶硅薄膜的晶格四方度变化，进而形成单轴磁各向异性，以及明显的反常霍尔效应。基于该反常霍尔效应，实验发觉了全反铁磁异质界面（共线反铁磁/非共线反铁磁）的交换偏置效应。因而急剧提高了数据读取可靠性。并且三者的技术方向可能出现了不同。诸如对反铁磁材料的选择方面。
据了解，此前已有的反铁磁储存元件的联通号输出，主要依赖面内电子输运的各向异性磁内阻效应。这些反铁磁储存器在高低阻态之间的内阻差值很小，常温下数据写入后未能有效读出，引致出现乱码等无效存储情况。而目前我们原子级平整反铁磁金属单晶硅薄膜可以实现常温下储存，这一点很重要，这意味着它更节能。而正在苦恼于能源效率在六年内消耗近25%。